新型全固源分子束外延技术及其在器件制作中的应用
出处
《电子产品世界》
1999年第3期68-70,共3页
Electronic Engineering & Product World
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1郝智彪,卢京辉,周丹,罗毅.全固源分子束外延技术及其在光电子器件制作中的应用[J].材料导报,1999,13(4):32-35.
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2郝智彪,任在元,何为,罗毅.全固源分子束外延InAsP/InGaAsP多量子阱1.55μm激光器[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):189-192.
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3郝智彪,卢京辉,任在元,罗毅.全固源分子束外延生长InP和InGaAsP[J].Journal of Semiconductors,2000,21(12):1193-1197. 被引量：1
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4任在元,郝智彪,何为,罗毅.采用As_2和As_4模式的新型全固源InAsP分子束外延生长[J].Journal of Semiconductors,2002,23(1):57-60. 被引量：1
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5何为,郝智彪,任在元,罗毅.全固源分子束外延1.55μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料[J].稀有金属,2004,28(3):579-581.
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