深能级瞬态谱(DLTS)技术应用于半导体器件的失效分析

开展半导体器件管芯特性异常的失效分析，需要从原子分子的观点来解释器件电特性异常的原因，笔者把深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术应用于半导体器件的失效分析，测定了不同半导体器件的ＰＮ结和肖特基势垒结耗尽层的微量重金属杂质和缺陷引起的深能级中心浓度，能级位置。用失效样品和正常样品的以上微观物理量的差异来解释半导体器件电特性异常的原因，得到了满意的结果。笔者用ＤＬＴＳ技术解决的失效分析问题包括：１随频率的增加，ｎ沟道ＧａＡｓＭＥＳＴＦＥＴ高频跨导下降问题；２经高温存储试验，红外光电二极管光电转换效率下降问题；３高速开关晶体管开关时间过长问题。