摘要
本文提出用电流脉冲法在Ｓｉ（１１１）－７×７表面进行单原子操纵，用恒电流扫描的方法在Ｓｉ（１１１）－７×７表面形成纳米级沟槽结构．通过分析Ｓｉ（１１１）－７×７表面的原子结构模型指出，当线扫描的方向平行于Ｓｉ（１１１）－７×７表面的基矢方向，并且原子操纵后形成的沟槽的边界处于基矢方向上原子空位的连线时，所得到的沟槽才具有原子级平直的边界．这是在Ｓｉ（１１１）－７×７表面可能得到的最稳定的人造原子级结构，并在实验中实现了这种结构．本文对原子操纵的机理也进行了分析．
Abstract Single atom on Si(111) 7×7 surface
can be extracted out by current pules, and nanometer scale grooves can be formed by constant
current scan. When the scanning direction is parallel to one of basic vectors of Si(111) 7×
7surface, the grooves with atomic straight edges can be formed, and these structures are more
stable. The atomic manipulation mechanism is discussed.
