新型GaAs MSM结构光电二极管的直流光电特性
被引量：2
同被引文献12
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1潘青.用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器[J].半导体光电,1999,20(2):79-82. 被引量：6
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2张健亮,陈康民.PIN结光电二极管的工艺原理和制造[J].中国集成电路,2004,13(9):72-74. 被引量：10
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3王庆康,冯胜.GaAs MSM光电探测器暗电流特性[J].半导体光电,1995,16(4):336-338. 被引量：2
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4Yang L，IEEE Photonics Technol Lett，1990年，2卷，1期，56页
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5Hong W P，IEEE Trans Electron ED，1989年，36卷，4期，659页
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6宋海兰,黄辉,崔海林,黄永清,任晓敏.InGaAs/Si雪崩光电二极管[J].半导体光电,2010,31(5):702-704. 被引量：5
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7史常忻,K.Heime.长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器[J].Journal of Semiconductors,1991,12(12):767-770. 被引量：5
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8张诗雨,洪霞,方旭,叶辉.非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计[J].光电工程,2015,42(1):84-88. 被引量：1
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9史衍丽,郭骞,李龙,邓功荣,杨绍培,范明国,刘文波.可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器[J].红外与激光工程,2015,44(11):3177-3180. 被引量：5
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10魏佳童,陈立伟,胡海帆,刘志远.基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）[J].红外与激光工程,2016,45(B05):188-193. 被引量：2
引证文献2
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1史常忻,K.Heime.长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器[J].Journal of Semiconductors,1991,12(12):767-770. 被引量：5
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2高琳华,崔艳霞,梁强兵,刘艳珍,李国辉,范明明,郝玉英.金属-无机半导体-金属光电探测器的研究进展[J].红外与激光工程,2020,49(8):221-239. 被引量：1
二级引证文献6
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1朱红卫,史常忻,陈益新,李同宁.低暗电流InGaAs金属－半导体－金属光电探测器[J].半导体光电,1996,17(3):257-260. 被引量：1
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2朱红卫,史常忻,陈益新,李同宁.极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究[J].Journal of Semiconductors,1997,18(1):22-26. 被引量：2
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3史常忻,A.Mesquida Kusters,A.Kohl,R.Muller,K.Heime.p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(3):194-197. 被引量：2
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4高琳华,崔艳霞,梁强兵,刘艳珍,李国辉,范明明,郝玉英.金属-无机半导体-金属光电探测器的研究进展[J].红外与激光工程,2020,49(8):221-239. 被引量：1
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5郭思彤,邱开放,王文艳,李国辉,翟爱平,潘登,冀婷,崔艳霞.Au/TiO_(2)复合纳米结构增强热电子光电探测器宽谱响应性能[J].红外与激光工程,2023,52(3):340-350.
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6王庆康,史常忻.In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(12):748-753.
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