二级引证文献3
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2宋大有.世界半导体硅工业新动向[J].上海金属(有色分册),1989,10(4):38-46.
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3申成功.场效应管的特性、检测及使用(上)[J].家庭电子,2003(2):36-37. 被引量:1
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7周元才.结型场效应晶体管漏源饱和电流一致性的控制[J].电子产品可靠性与环境试验,1999(6):30-35.
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8刘冰,龚正烈,姚素薇,郭鹤桐,袁华堂,张允什.半导体硅上电沉积Cu/Co层状薄膜[J].物理化学学报,1999,15(4):356-360. 被引量:5
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9瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET[J].电子工业专用设备,2012,41(7):59-59. 被引量:1
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10王景蓉,孙富强,杜龙安.半导体技术的研究进展[J].山东科学,2003,16(4):68-69.
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