二级引证文献3
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2宋大有.世界半导体硅工业新动向[J].上海金属（有色分册）,1989,10(4):38-46.
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7周元才.结型场效应晶体管漏源饱和电流一致性的控制[J].电子产品可靠性与环境试验,1999(6):30-35.
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9瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET[J].电子工业专用设备,2012,41(7):59-59. 被引量：1
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10王景蓉,孙富强,杜龙安.半导体技术的研究进展[J].山东科学,2003,16(4):68-69.
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