电力电子的新材料— 高强度掺氮区熔硅单晶
出处
《上海电器技术》
1990年第4期18-23,共6页
Shanghai Electric Appliance Technology
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1我国直径最大的区熔硅单晶研制成功[J].中外科技信息,2002(12):76-76.
-
2我国直径最大的区熔硅单晶面世[J].今日电子,2002(12):96-96.
-
3国内最长的区熔硅单晶在天津面世[J].硅铝化合物,2002(2):33-33.
-
4直径130毫米区熔硅单晶在天津出炉[J].集成电路应用,2002(9):44-44.
-
5梅玉平,颜家壬.群色散光纤中高强度光脉冲传输与压缩的研究[J].光学学报,1993,13(5):478-480. 被引量：1
-
6秦大甲.海底光缆用高强度低损耗全掺氟光纤[J].文献快报（纤维光学与电线电缆）,1994(2):6-14.
-
7高强度环氧打印油墨[J].磁与瓷通讯,1989(2):13-14.
-
8王北星,黄岚.高强度公开密钥RSA算法设计原理与实现[J].国外情报科学,1997(3):51-56.
-
9玩意儿[J].计算机应用文摘,2010(22):68-69.
-
10陶玉明,李兴国,朱逸农.Ka波段超小型同腔混频收发前端[J].固体电子学研究与进展,1994,14(3):277-282.
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