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拟巩固市场地位三星量产30纳米级DRAM内存芯片

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摘要据韩国联合通讯社7月21日报道，三星电子成功研发出世界首款30纳米级2千兆字节DDR3 DRAM内存芯片，并已从本月开始进入批量生产。

出处《科技与生活》 2010年第14期I0002-I0002,共1页

关键词内存芯片 DRAM 三星电子纳米级市场地位批量生产通讯社

分类号 TP333.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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科技与生活

2010年第14期

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