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微电子技术的发展趋势与展望 被引量：4

The Development Tendency and Prospect of Microelectronic Technology
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摘要 本文叙述了世界微电子技术和集成电路的芯片工艺、设计及封装技术 ,对今后可能出现或将成为主流产品的微电子器件作了分析与展望。 Microelectronic technology and the IC chip processes,design,package technology in the world is discussed.Analyz and prospect on the future main microelectronic device is given.At last,the anticle simply analyze the microelectronic technology and IC development policy in China.
作者 陆剑侠 王效平 苏舟
机构地区 东北微电子研究所
出处 《微处理机》 1999年第1期1-7,共7页 Microprocessors
关键词 微电子技术 集成电路 发展趋势 microelectronic,IC,development tendency
分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献9

二级参考文献3

共引文献10

同被引文献18

  • 1李云 李玉兰.静电放电产生的干扰特性及对航天电子设备的影响[A]..见:第三届全国电磁兼容学术会议论文集[C].北京:北京邮电大学出版社,1990.227-230.
  • 2Rhoades W, Mass J. New ANSI ESD standard overcoming the Deficiencies of worldwide ESD standards [ J ].IEEE International on Electromagnetic Compatibility,1998, (2): 1078-1082.
  • 3微波武器将用于未来的战争[J].黄裕年[J].研究与发展,1998,(1):29-31.
  • 4竺家亨.美国加紧发展非致命性武器.高功率微波技术,1999,(2):32-44.
  • 5Chundru Ramachandran, Pommerenke David, Wang Kai.Characterization of human metal ESD reference discharge event and correlation of generator parameters to failure levels- part Ⅰ: reference event [ J ]. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2004, 46 (4): 498-504.
  • 6Wang Kai, Pommerenke David, Chundru Ramachandran,et al. Characterization of human metal ESD reference discharge event and correlation of generator parameters to failure levels--Part Ⅱ: Correlation of generator parameters to failure levels [ J ]. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2004, 46 (4): 505 - 511.
  • 7Rowe M. Check ESD simulators for radiated EMI [ J ].Test & Measurement World, 1995, (6): 15 - 16.
  • 8Hall K, McCarthy D, Dale D, et al. Steps taken to determine why different IEC61000 -4 -2 ESD generators produce different results [ C]. In: Proc. Int. Zurich Symp. EMC, Zurich, 1997: 105-108.
  • 9Zhang Xijun, Ruan Xiaofen, Liu shanghe. Study on the effects of relay switch of ESD simulator to ESD immunity test [ A ]. In: Proc. Asia - Pacific Conference on Environmental Electromagnetic [ C ], Hangzhou: China.2003. 229 - 232.
  • 10IEC61000 - 4 - 2, 2001, Electromagnetic Compatibility( EMC ) - Part4 - 2: Testing and Measurement Techniques -Electrostatic Discharges Immunity Test [ S ].

引证文献4

二级引证文献13

微处理机
1999年 第1期

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