自对准钼栅技术在CMOSIC中的应用研究
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1夏增浪.深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法[J].半导体技术,1999,24(3):45-49. 被引量：2
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2IDT推出精度最高的全硅CMOS振荡器[J].中国集成电路,2010,19(12):11-11.
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3桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,徐士美.硅栅CMOS集成电路测试图形的研究[J].华东师范大学学报（自然科学版）,1992(1):53-63.
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4高精度全硅CMOS振荡器[J].今日电子,2010(12):61-61.
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5张磊,王忆,张浩.浅谈CMOS集成电路的I_(DDQ)测试[J].微处理机,2007,28(4):18-19. 被引量：1
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6袁博鲁.一种高性能16位A/D转换器[J].微电子学,1998,28(4):272-276.
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7张正璠.消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术[J].微电子学,1990,20(4):7-10. 被引量：1
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8Silicon Laboratories推出业界首个用于GSM/GPRS手机的全集成单芯片手机[J].集成电路应用,2005,22(12):18-18.
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9全集成GSM／GPRS手机单芯片[J].今日电子,2005(11):98-98.
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10邓志杰（摘译）.国际半导体工艺指南中用于硅基IC系统的新材料[J].现代材料动态,2008(11):2-5.
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