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一种新型锗霍尔元件研制
Development of A New Type of Germanium Hall Element
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摘要
介绍了一种新型锗霍尔元件的结构设计,讨论其工艺流程和特点。
This paper talks about the of a new type of germanium hall element and discusses technical programmes and characters.
作者
吴桂芳
陈志祥
机构地区
安徽大学物理系
合肥半导体厂
出处
《安徽大学学报(自然科学版)》
CAS
1999年第1期28-30,共3页
Journal of Anhui University(Natural Science Edition)
关键词
霍尔元件
锗霍尔元件
磁感应强度
工艺流程
Hall Element
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
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安徽大学学报(自然科学版)
1999年 第1期
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