摘要
研究了实际生长的铜双晶体(RB),组合双晶体(CB)及其组元单晶体(G1,G2)在总应变幅控制下的循环应力-应变响应.结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为G2,CB,RB及G1,而塑性应变幅则按G2,CB,RB及G1顺序递减.通过引入一个双晶体的取向因子Ω_B比较了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线,其中两组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线均存在一平台区,且平台饱和分切应力分别为30.5MPa及29.2MPa.组合双晶体CB同样也存在一平台区,其平台饱和分切应力基本与组元单晶体的饱和切应力值相等.而实际生长的双晶体RB的循环应力-应变曲线明显高于组合双晶体CB及其组元双晶体G1,G2的循环应力-应变曲线,且随应变幅升高循环饱和分切应力从31.4MPa逐渐升高到34.0MPa,没有平台区存在.
基金
国家自然科学基金(批准号:59701006和 19392300-4)
