摘要
X-FAB Silicon Foundries,发表业界第一套100V高电压0.35微米晶圆制程。当运用在电池管理方面,可实现更上层楼的可靠性、高效能电池管理与保护系统,也最适合于电源管理应用与运用压电驱动器的超音波图像处理和喷墨打印头应用。此外,X-FAB更增添全新强化的N—与P—型双扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管．具备更低45％的导通电阻（on-resistance）适用于高达100V的多种作业电压．更缩小达40％的芯片面积．自然也降低了成本。
出处
《电子与电脑》
2010年第8期90-90,共1页
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