半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量测量方法被引量：2

A Quantitative Method of AB Microscopic Defects in Semi-insulating GaAs Single Crystals

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摘要报道了非掺杂半绝缘砷化镓单晶中ＡＢ微缺陷显微特征的研究结果，提出了一种自动定量测量微缺陷的方法，并在ＷＤ－５图象处理分析系统中实现了该算法。 The microscopic characteristics of AB microdefects in LEC undoped semi-insulating GaAs single crystals have been studied. A new method for auto mesurement of microdefects is proposed and realized by WD-5 image processing and analysis system.

作者张泽兰曾立波齐芸馨

机构地区武汉大学分析测试中心电子工业部第四十六所

出处《分析测试技术与仪器》 CAS 1999年第1期45-47,共3页 Analysis and Testing Technology and Instruments

关键词图象分析微缺陷砷化镓单晶 AB 半绝缘 image analysis microscopic defect GaAs single crystal

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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