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锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究

Measurement of Ge-APD Quick Optical Pulse Re sponse Time
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摘要 基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法. The operational principle of Ge-APD was introduced. The measurement of Ge--APD quick optical-electric transducer , micro band circuit and sampling technique were presented.
机构地区 绥化学院物理系
出处 《德州学院学报》 2010年第4期15-18,共4页 Journal of Dezhou University
基金 绥化学院科学技术研究项目(K1002001)
关键词 锗-雪崩光电二极管 微带电路 取样 Ge-APDI micro band circuit sample
  • 相关文献

参考文献4

  • 1清华大学微带电路编写组.微带电路[M].北京:清华大学出版社,1996.
  • 2王家骅,李长健,朱文成.半导体器件物理[M].北京:科学出版社,1998.
  • 3吕斯骅,朱印康.近代物理实验技术[M].北京:高等教育出版社,1997.
  • 4尚世铉,等.近代物理实验技术(Ⅱ)[M].北京:高等教育出版社,1999.

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