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氮化镓可取代功率晶体管中的硅
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摘要
一种“由取代功率晶体管材料之王硅的材料制成的高效晶体管”已经由科内尔大学的Lester Eastman实验室的一名研究生Junxia设计制作。目前尚未获得专利授权的器件由氮化镓(GaN)制成,Lester Eastman实验室的成员及其同行已经对它的独特性质研究了十几年。2009年8月28日出版的“应用物理通讯”报道了这项突破性的研究。
作者
黄文梅(摘译)
出处
《现代材料动态》
2010年第8期14-14,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
功率晶体管
氮化镓
硅
设计制作
专利授权
应用物理
实验室
管材料
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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现代材料动态
2010年 第8期
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