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全新可升级ATE保障未来三代器件需求
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摘要
存储器制造商一直在寻找一种既能满足其生产和功能需求又能提供比一代器件寿命更长、投资价值更高的节约型ATE解决方案。
作者
丛秋波
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2010年第9期17-17,共1页
EDN CHINA
关键词
V93000
HSM3G
DDR4
存储器测试
VERIGY
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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1
低成本DDR3、DDR4高速存储器测试解决方案[J]
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孙丽君.
惠瑞捷推出HSM3G高速存储器测试解决方案[J]
.世界电子元器件,2010(9):71-71.
3
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.半导体技术,2010,35(9):953-953.
4
惠瑞捷HSM3G高速存储器测试方案为未来三代内存提供低廉测试成本[J]
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5
Verigy V93000推出Port Scale射频测试解决方案[J]
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6
王怀亮,徐志华,严锦荣,李亚婷,姜丰,周子翔.
基于统计算法的DDR4 DQ信号误码率眼图的实现[J]
.电子科技,2015,28(7):124-128.
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7
灿芯半导体DDR4 IP以40nm工艺实现2400 Mbps速率[J]
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8
刘燕.
DDR4SDRAM的EMC设计探讨[J]
.电子世界,2017,0(7):24-26.
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9
安捷伦将分割成立的半导体测试公司命名为Verigy[J]
.今日电子,2006(2):60-60.
10
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.电子质量,2011(8):55-55.
电子设计技术 EDN CHINA
2010年 第9期
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