期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

美光和英特尔率先利用25nm硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND闪存

下载PDF

导出

摘要美光科技公司（Micron）和英特尔公司（Intel）联合推出25nm工艺的3-bit-per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。

出处《电子与电脑》 2010年第9期78-78,共1页 Compotech

关键词 NAND闪存英特尔公司硅工艺技术利用美光科技公司客户

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

13-bit-per-cell NAND闪存[J].电子设计工程,2010,18(9):54-54.
2英特尔、美光联手推出25nm NAND闪存[J].微电脑世界,2010(3):20-20.
3高性能存储器助汽车实现与世界畅通互联[J].汽车零部件,2015,0(2):61-61.
4江兴.世界第一个1μm^2的SRAM单元[J].半导体信息,2003,0(1):34-34.
520nm制程技术：新纳米制程技术[J].世界电子元器件,2011(5):33-33.
6闪存前景光明英特尔与美光联手投资[J].世界电子元器件,2006(1).
725纳米技术NAND闪存问世[J].科技与生活,2010(3).
8英特尔、美光联手推出25nmNAND[J].电子与电脑,2010,10(3):90-90.
9英特尔、美光联手推出25纳米NAND[J].中国电子商情,2010(3):95-95.
10新存储技术将面世比现有技术快千倍[J].网络运维与管理,2015,0(9):85-85.

电子与电脑

2010年第9期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部