期刊文献+

贝尔实验室半导体材料的研究

R & D of Semiconductor Material in Bell Laboratories
下载PDF
导出
摘要 着重论述贝尔实验室关于半导体材料研究与工艺开发的历史过程.这包括锗和硅的制备,ⅢⅤ族半导体化合物,区域纯化法和区域致匀法,以及外延。 This paper discribes Bell laboratories reserch and development of the semiconductor materials. It relates briefly the development of materials and art in early stage, the Ge and Si making, ternary and quaternary semiconductors compounds, zone refining and zone levering, epitaxial method, impuring, and marking.
出处 《首都师范大学学报(自然科学版)》 1999年第2期37-43,共7页 Journal of Capital Normal University:Natural Science Edition
关键词 贝尔实验室 半导体材料 外延 化合物半导体 掺杂 Bell laboratory, semiconductor material, R & D.
  • 相关文献

参考文献2

共引文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部