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VDMOS场效应晶体管可靠性研究
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摘要
本文针对VDMOS场效应晶体管在制造和使用可靠性方面的研究。通过设计、工艺和测试使用中的常见问题,明确VDMOS场效应晶体管的应用中注意的事项。更好在电路中体现VDMOS场效应管的优势,避免由于使用不当造成的失效。
作者
陈骞
机构地区
西安卫光半导体有限公司
出处
《经济技术协作信息》
2010年第27期124-124,共1页
关键词
VDMOS
可靠性
分类号
G434 [文化科学—教育技术学]
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