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双抛量子阱中类氢杂质的结合能

Binding Energy of a Hydrogenic Impurity in Double Parabolic Quantum Wells
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摘要 以GaAs/Ga1-xAlxAs为例,在有效质量的近似下,讨论了双抛量子阱中类氢杂质的结合能.结果表明:(1)双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的1.3倍;(2)无论杂质在阱中还是垒中,不仅垒宽和阱宽影响其结合能。 Considering the effective mass appoximation and taking the GaAs/Ga 1 x Al x As for example,we investigate the binding energy of a hydrogenic impurity in the double parabolic quantum well(DPQW).The results show that: (1)The binding energy of a hydrogenic impurity in the double square quantum well (DSQW) is about 1.3 times larger than in DPQW;(2)No matter where the shallow donor is, the barrier thickness( L b),the well width ( L W) and the donor composition( x )all affect the binding energy( E b)greatly.
出处 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第2期209-214,共6页 Journal of Hebei Normal University:Natural Science
关键词 类氢杂质 结合能 量子阱 双抛量子阱 半导体 hydrogentic impurity binding energy double square quantum well (DSQW) double parabolic quantum well (DPQW)
  • 相关文献

参考文献1

  • 1郝剑红 闫发旺 等.双量子阱中的带电粒子[J].河北师范大学学报:自然科学版,1996,20(1):34-38.

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