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英飞凌30V车用MOSFET具备全球最低通态电阻
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摘要
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS—T230V MOSFET是一款N沟道器件,在10V栅源电压条件下,漏极电流为180A,而通态电阻仅为0.9毫欧。
出处
《中国集成电路》
2010年第9期3-3,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
功率MOSFET
通态电阻
金属氧化物半导体场效应晶体管
车用
股份公司
漏极电流
大电流
N沟道
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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