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中国半导体激光器的历次突破与发展(邀请论文) 被引量:25

Breakthroughs and Developments of Semiconductor Laser in China (Invited Paper)
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摘要 主要从半导体激光器第一、二、三次飞跃详尽介绍分析了中国半导体激光器的重大突破与发展。 Against the background of the first,second and third leaps in the field of semiconductor lasers,a thorough account and analysis is given on the major breakthroughs and developments of the semiconductor lasers in China.
作者 王启明
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2190-2197,共8页 Chinese Journal of Lasers
关键词 中国 半导体激光器 突破 发展 China semiconductor laser breakthroughs developments
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