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日本将ZnO类紫外LED功率提高至100μW
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摘要
日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约1/10,“明确了追赶GaN类产品的前进道路”(东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司)。制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法,并开发出了不使用自由基化气体的掺杂(Doping)法。
出处
《现代材料动态》
2010年第9期25-25,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
日本东北大学
LED
ZNO
紫外
INGAN
功率
发光强度
分子束外延
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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现代材料动态
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