650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件
650V IGBT4:The Optimized Device for Large Current Modules with 10μs Short Circuit Time
摘要
本文介绍了Infineon公司专为Irom>300A中大电流应用设计的最新的650V IGBT4。与600V IGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
出处
《电力电子》
2010年第4期38-40,共3页
Power Electronics
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