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高可靠性IGBT模块封装的设计 被引量:5

Design of IGBT Module Packaging for High Reliability
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摘要 本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的材料。因为不同的热膨胀系数,层间介面处的物理损坏会伴随着一系列温度循环而不断累积。IGBT模块的寿命周期主要依赖于其材料的组合和结构设计上。作为一种尝试,本文针对未来IGBT在较高的运行温度下的可能性,谈到了当前的热优化设计和键合技术研究。
出处 《电力电子》 2010年第4期62-66,共5页 Power Electronics
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同被引文献24

  • 1周卫平,吴正国,唐劲松,刘大明.SVPWM的等效算法及SVPWM与SPWM的本质联系[J].中国电机工程学报,2006,26(2):133-137. 被引量:230
  • 2郭红霞,杨金明.IGBT的发展[J].电源世界,2006(9):51-56. 被引量:11
  • 3William W S, Ronald P C. Power Electronic Modules Design and Manufacture[M]. New York: CRC Press LLC, 2005.
  • 4Fabian J H, Hartmann S, Hamidi A. Analysis of Insulation Failure Modes in High Power IGBT Modules[C]//Industry Applications Conference, 2005: 799-805.
  • 5Kluge W P, Gobrecht J. Directly Bonded Copper Metallization of AIN Substrate for Power Hybrids[C]//Material Research Society Symposia Proceedings. Boston, 1985:399-404.
  • 6Kurihara Y, Shigeru T, Satoru O, et al. Bonding Mechanism between Aluminum Nitride Substrate and Ag-Cu-Ti Solder[J]. Components, Packaging, and Manufacturing Technology, 1992, 15(3):361- 368.
  • 7Chamund D J, Coulbeck L, Newcombe R, et al. High Power Density IGBT Module for High Reliability Applications[C]//Power Electronics and Motion Control Conference, 2009: 274-280.
  • 8Ramy A, Florin U, Wai T N, et al. The Current Sharing Optimization of Paralleled IGBTs in a Power Module Tile Using a PSpice Frequency Dependent Impedance Model[J]. IEEE Transactions on Power Electronics_ 2008. 23 (l/: 206-217.
  • 9起华荣,杨钢,史庆南,王效琪.A356合金流动性测试研究[J].轻金属,2008(1):52-54. 被引量:14
  • 10仇志凌,杨恩星,孔洁,陈国柱.基于LCL滤波器的并联有源电力滤波器电流闭环控制方法[J].中国电机工程学报,2009,29(18):15-20. 被引量:74

引证文献5

二级引证文献12

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