纳米硅光学特性的研究被引量：8

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摘要结合微区Raman谱 ,研究了镶嵌在SiO2 基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱 .观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象 .并发现在 1 .9～ 3.0eV的能量范围内 ,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系 ,这可能是间接带隙的特征 .在 0 .95～ 1 .6eV之间存在次带吸收 ,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态 .通过发光谱与吸收谱的比较 ,认为声子可能参与了发光过程 .

作者马智训廖显伯孔光临

机构地区中国科学院上海技术物理研究所中国科学院半导体研究所

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1999年第7期625-631,共7页 Science in China(Series A)

基金国家自然科学基金!(批准号 :6 95 76 0 2 5 )

关键词纳米硅多孔硅吸收谱光致发光谱光学特性

分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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