摘要
结合微区Raman谱 ,研究了镶嵌在SiO2 基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱 .观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象 .并发现在 1 .9~ 3.0eV的能量范围内 ,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系 ,这可能是间接带隙的特征 .在 0 .95~ 1 .6eV之间存在次带吸收 ,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态 .通过发光谱与吸收谱的比较 ,认为声子可能参与了发光过程 .
出处
《中国科学(A辑)》
CSCD
1999年第7期625-631,共7页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金!(批准号 :6 95 76 0 2 5 )