摘要
首次报道采用脉冲激光沉积方法在 ( 1 0 0 )LaAlO3 单晶基底上外延生长La Sn Mn O薄膜 ,由X射线的衍射分析确定薄膜属于钙钛矿型结构 .薄膜在低温发生金属到半导体转变 ,它的电阻随磁场的变化而变化 ,其磁阻的最大变化率约为 1 0 3 ,表明此薄膜具有异常大磁阻效应 .磁化强度的测量表明其室温为顺磁性低温为铁磁性 .居里温度值与薄膜出现最大磁阻变化率的温度值十分接近 ,表明其中的磁阻效应是与铁磁到顺磁转变紧密相连的 .为进一步探讨La Sn Mn O在将来集成薄膜器件中的应用前景 ,测量了薄膜表面的平整度 .
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1999年第7期643-647,共5页
Science in China(Series A)
基金
国家重点基础研究资助
