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金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展 被引量：14

The Recent Research Progress of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors
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摘要 最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。 Recently,amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors（a-InGaZnO TFT） have attracted considerable attention for their outstanding merits,such as high mobility,good stability and simple fabrication process.This article reviews the device structure,advantages and disadvantages of a-IGZO TFT.We also summarize the impact a-IGZO TFT performance factors.In addition,the new methods of developing high performance and stability a-IGZO TFTare proposed.
作者 刘翔 薛建设 贾勇 周伟峰 肖静 曹占峰
机构地区 京东方科技集团股份有限公司TFT-LCD器件与材料技术研究所 山东省泰山学院物理与电子工程学院
出处 《现代显示》 2010年第10期28-32,共5页 Advanced Display
关键词 薄膜晶体管 氧化铟镓锌 氧化物 器件结构 thin film transistor IGZO oxide device structure
分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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引证文献14

二级引证文献39

现代显示
2010年 第10期

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