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用激光烧蚀法合成晶状半导体纳米丝
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摘要
具有纳米直径的纳米管和纳米丝之类的一维结构对检验和搞清维度和尺寸在光、电和机械特性方面作用的基础概念以及从探针微尖到纳米电子学互连的一系列应用都有巨大潜力[1]。Si和Ge[2]之类晶状半导体纳米丝的合成很有希望用于器件和用来改善这种间接隙材料的光学...
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
1999年第6期35-38,共4页
Laser & Optoelectronics Progress
关键词
激光烧蚀法
纳米丝
晶状半导体
合成
分类号
TN240.9 [电子电信—物理电子学]
TN304.051 [电子电信—物理电子学]
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激光与光电子学进展
1999年 第6期
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