期刊文献+

钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理 被引量:5

The mechanism of the variation of the electric performances of (Ba, Pb)TiO 3 ceramics in the course of electroless plating.
下载PDF
导出
摘要 化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。 Electroless nickel plating process often has a negative influence on the electric properties of PTCR's, MLCC's, etc. When reduction reaction caused by hydrogen atoms happens, the density of charge carriers increases and the grain boundary barrier changes. (4 refs.)
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期1-2,6,共3页 Electronic Components And Materials
关键词 PTC陶瓷 晶界势垒 化学镀镍 PTCR MLCC PTC ceramics, grain boundary barrier, Ni electroless plating
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Chen Wanping,J Am Ceram Soc,1998年,81卷,10期,2751页
  • 2Chen Wanping,J Mater Sci Lett,1998年,17卷,899页
  • 3Chen Wanping,J Mater Res,1997年,12卷,4期,877页
  • 4Li Biaorong,J Appl Phys,1987年,62卷,11期,4629页

同被引文献45

引证文献5

二级引证文献16

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部