CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究

下载PDF

导出

摘要本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成．它们具有两个起因，其中能量较低的一个是ＣｕＣｄ，另一个与Ｃｄ空位ＶＣｄ有关．

作者杨柏梁石川幸雄一色实

机构地区中国科学院长春物理研究所日本东北大学素材工学研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期548-553,共6页 半导体学报（英文版）

关键词碲化镉单晶发光峰实验

参考文献3

1徐永宽.ZnSe外延层中氮受主束缚激子的应力相关Zeeman效应[J].电子材料快报,1999(8):13-14.
2杨晓婵（摘译）.CdTe单晶将与太阳电池一样受到市场关注[J].现代材料动态,2011(2):13-14.
3朱作明,刘南竹,李国华,韩和相,汪兆平,王善忠,何力,姬荣斌,巫艳.掺氮ZnSe外延层的光致发光研究[J].红外与毫米波学报,1999,18(1):13-18. 被引量：1
4杨柏梁,石川幸雄,一色实.用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶[J].Journal of Semiconductors,1999,20(9):759-764.
5晓予.γ射线探测器用CdTe单晶[J].电子材料快报,1998(7):3-5.
6夏威,孟宪权,刘文军,朱振华.ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究[J].大众科技,2010,12(5):117-117. 被引量：1
7介万奇.CdTe单晶生长过程的分凝特性及其生长条件的选择[J].材料研究学报,1996,10(3):259-263. 被引量：1
8周新翠,叶志镇,陈福刚,徐伟中,缪燕,黄靖云,吕建国,朱丽萍,赵炳辉.MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜[J].Journal of Semiconductors,2006,27(1):91-95. 被引量：5
9杨柏梁,石川幸雄,一色实.CdTe单晶的红外消光特性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(11):983-988. 被引量：3
10郑永成.MOCVD生长ZnS薄膜中Na受主的鉴别及紫外光辐照的作用[J].液晶与显示,1990,10(6):16-19.

Journal of Semiconductors

1999年第7期

内容加载中请稍等...