低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响被引量：2

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摘要为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释．

作者李建平黄大定刘金平刘学锋李灵宵朱世荣孙殿照孔梅影

机构地区中国科学院半导体研究所材料中心

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期559-561,共3页 半导体学报（英文版）

关键词硅锗化硅外延生长 GSMBE 热裂解

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Journal of Semiconductors

1999年第7期

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