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摘要上期想想看答案1.如图1所示,功率管MOSFET组成的H桥驱动器,为什么常将熔断器(FU1、FU2)设置在高侧管回路,而不设置在电源进线(FU)处?由功率管MOSFET组成的H桥电路,目前主要用于以PWM模式驱动的直流电动机,作调速及正反向运转。在负载电流较大的情况下,甚至可采用多路H桥并联模式。其优点是开关工况的MOSFET管效率高,且不存在二次击穿的弊病,采用专用驱动模块电路简单。

出处《电世界》 2010年第10期56-56,共1页 Electrical World

关键词矩角特性上升段中性线下降段换向片电动机

分类号 TM563 [电气工程—电器] TN386 [电子电信—物理电子学]

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