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硅中氧、碳的二次离子质谱(SIMS)分析 被引量:7

SIMS analysis of oxygen and carbon concentration in silicon
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摘要 本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法,氧、碳的的检测限分别可达到6.0e16atoms/cm^3、2.0e16atoms/cm^3。 The SIMS quantitative analysis method of Oxygen and Carbon Concentration with RSF(relative sensitivity factor) was described in this paper. The detection of Oxygen is 6.0e 16atoms/cm^3 and Carbon is 2.0e 16atoms/ cm^3, respectively by presputtering.
机构地区 电子材料研究所
出处 《现代仪器》 2010年第2期40-41,52,共3页 Modern Instruments
关键词 相对灵敏度因子 二次离子质谱 定量分析 预溅射 Silicon RSF SIMS Quantitative analysis Presputter
  • 相关文献

参考文献1

  • 1ASTM E673-2003有关表面分析的术语.

同被引文献159

引证文献7

二级引证文献35

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