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在FEA中使用的MOSFET技术
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摘要
本文对以MOSFET(金属氧化物硅场效应薄膜晶体管)技术提高FED(场致发射显示)等器件的FEA(场致发射阵列)阴极发射电流的稳定性作了说明,并就对MOSFET技术的改进作了介绍。
作者
季旭东
机构地区
华东电子集团公司
出处
《光电技术》
1999年第2期74-79,共6页
关键词
MOSFET
FED
FEA
场致发射阵列
场致发射显示
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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