摘要
应用统计方法，研究了掺金Ｎ型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化，探讨了系统的静态电荷转移机制，所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识。
ItisstudiedthattheconcentrationofcarrierandthechargedensityonenergylevelsofimpuritiesintheNtypesilicondopedgoldvarywithtemperaturebystatisticmethod.Therebythechargetransfermechanismatstaticstateisapproached.Theresultssupporttheknowledgethatthegoldacceptorlevelandthegolddonorlevelinsiliconessentiallyoriginatefromthesamegoldimpurity.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期226-230,共5页
Research & Progress of SSE
关键词
掺金
电荷转移机制
统计方法
硅
掺杂
SiliconDopedGoldChargeTransferMechanismStatisticMethodEEACC: 2520
