改进的ECR等离子体源
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1马丁.离子束应用的紧凑ECR等离子体源[J].等离子体应用技术快报,1999(1):9-11.
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2甘德昌.导电薄膜沉积用ECR等离子体源[J].等离子体应用技术快报,1995(8):10-11.
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3刘明海,胡希伟,吴汉明.ECR等离子体源中基本参数的数值模拟[J].核聚变与等离子体物理,1998,18(2):36-40. 被引量：6
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4一弓.环会切磁场大面积ECR等离子体源[J].等离子体应用技术快报,1996(10):8-9.
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5甘德昌.具有远距离微波注入窗的永久磁性ECR等离子体源[J].等离子体应用技术快报,1996(8):10-11.
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6楚山.利用开槽天线微波源的ECR等离子体源[J].等离子体应用技术快报,1996(4):9-10.
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7刘昌龙,E.Ntsoenzok,D.Alquier.H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应[J].高能物理与核物理,2005,29(5):524-529.
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8袁先漳,缪中林.Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究[J].物理学报,2004,53(10):3521-3524. 被引量：2
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9李兵.用独立双槽缝天线激发的超宽ECR等离子体源[J].等离子体应用技术快报,1998(10):12-14.
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10陈昊.半导体工艺中硅衬底凹坑缺陷的检测[J].南京工业职业技术学院学报,2010,10(2):39-41.
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