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EUV掩膜版的等离子刻蚀法
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摘要
随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着。无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技术即将进入人们的视线。
出处
《电子工业专用设备》
2010年第10期56-56,60,共2页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
刻蚀法
等离子
掩膜版
EUV
理论极限
光刻技术
制造技术
集成电路
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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王国荃,罗腾胶.
等离子体打膜在制掩膜版中的应用研究[J]
.上海半导体,1991(4):7-9.
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张沛,熊启龙.
铬掩膜版与平板显示[J]
.世界产品与技术,2000(8):46-47.
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.个人电脑,2002,8(11):127-127.
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.电信网技术,2013(6):74-74.
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晓白.
集成电路制造需要的传感器[J]
.微电子技术,1995,23(5):48-53.
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彭祯艺.
突破30纳米[J]
.互联网周刊,2004(28):56-56.
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肆鲶.
进击的4G[J]
.计算机应用文摘,2014(2):10-13.
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李光晓,知足.
短波长和可调谐能力推动了激光技术新发展[J]
.光电子技术与信息,1994,7(3):13-15.
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.激光与光电子学进展,1996,33(2):29-32.
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电子工业专用设备
2010年 第10期
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