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一种flash存储器的灵敏放大器设计

A Design of Sense Amplifier for Flash Memory
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摘要 提出一种新型高速低工作电压的嵌入式flash灵敏放大器,该灵敏放大器由一个新型的位线稳压器和一个折叠共射-共基放大电路组成.基于0.13μm标准CMOS单元库的仿真结果表明,该灵敏放大器在-40℃～150℃的温度范围内有快速的读取速度,在最差工作环境下读取时间为17ns,最佳工作环境下为10ns,常温1.2V条件下的读取时间为12.5ns. A new high-speed low-supply voltage sense amplifier,which is composed of a new bit-line voltage regulator and a folded cascode ampligier circuit,is presented. It has been verified that the read speed of the new sense amplifier is fast in temperature range from-40℃ to 150℃ by simulation with 0.13μm CMOS models. Simulation results showed a read time of 17ns for the worst case,10ns for the best case,12.5ns and the normal temperature/1.2V case,respectively.
作者 王艺燃 于宗光
机构地区 江南大学信息工程学院 中国电子科技集团公司第
出处 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第11期147-150,共4页 Microelectronics & Computer
基金 江苏省自然科学基金项目(BK2007026) 江苏省"333"人才工程项目(20070124)
关键词 灵敏放大器 FLASH存储器 仿真 sense amplifier flash memory simulation
分类号 TN722.7 [电子电信—电路与系统]
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共引文献11

微电子学与计算机
2010年 第11期

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