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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片

A Selection of High-end Half-bridge Topology MOSFET Drive Scheme:Transformer or Silicon Chip
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摘要 本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的硅芯片驱动方案比较理想。 The article compares in detail two high-side half-bridge topology MOSFET drive schems for transformers and silicon chips and considering all factors,concludes that it is ideal to choose silicon chip drive schemes such as NCP5181.
机构地区 安森美半导体
出处 《电源世界》 2010年第10期30-32,29,共4页 The World of Power Supply
关键词 半桥拓扑结构 高端MOSFET 硅芯片 变压器 Half-bridge topology High-side MOSFET Silicon chip Transformer
  • 相关文献

参考文献2

  • 1半桥驱动器:采用变压器还是全硅驱动,安森美半导体培训教程,www.onsemi.comlpub/CollaterallHB%20-%20Half-Bridge%20Drivers.%20a%20Transformer-Based%20Solution%200r%20an%20All-Silicon%20Drive%20·%20bilingual.rev0.pdf.
  • 2NCP5181数据手册,http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF.

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