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嵌入式非易失性存储器在SoC物理设计中的应用 被引量:3

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摘要 嵌入式非易失性存储器以其同时具备数据可更改性及掉电保存性而已被越来越广泛的应用于SoC物理设计。文中结合一款电力网控制芯片R36的实际设计案例,分析了该器件的应用特点,并从用途、性能、容量选择等方面说明了通过非易失性存储器对降低芯片成本、提高速度及可靠性应用方法。
出处 《电子元器件应用》 2010年第11期22-23,27,共3页 Electronic Component & Device Applications
  • 相关文献

参考文献3

  • 1IEEE standard definitions and characterization of floating gates semiconductor arrays, 1999:40-41.
  • 2L. Larcher, P. Pavan, A. Manrelli, et al. Flash memories for SoC: an overview on system constraints and technology issues. Proceedings of the 9th International Database Engineering & Application Symposium, 2005:3N4.
  • 3J. H. Park, et al. 8Gb MLC (Multi-Level Cell) NAND flash memory using 63nm process technology. IEEE In- ternational Electron Devices Meeting Tech. Dig., 2004: 2-3.

同被引文献19

引证文献3

二级引证文献2

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