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先进微光刻芯片校准用的超高精度平台
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摘要
集成电路器件制造工业要求尽快发展目前的紫外(UV)或者X射线微光刻技术,以便把刻制图案尺寸减小到小于0.5μm。微细光刻过程要求校准芯片的平台具有非常高的性能:总置位重复精度应小于20nm,工作范围直径超过300mm。对于这种应用,为了改进现有的平台,要求新的设计和控制概念,使得纳米范围的定位精度能容易地实现。
作者
杜利明
出处
《光机电信息》
1999年第3期1-5,共5页
OME Information
关键词
集成电路
光刻
微细光刻
芯片
校准
平台
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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光机电信息
1999年 第3期
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