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英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管
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摘要
英飞凌最近宣布推出全新的PTFB系列LDMOS晶体管,可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品,新型晶体管的单管输出功率高达300W,完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。
出处
《中国集成电路》
2010年第11期7-7,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
LDMOS晶体管
通信市场
高数据传输速率
中国
无线网络基站
4G无线网络
POWER
输出功率
分类号
TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]
引文网络
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中国集成电路
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