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X射线光刻技术的进展及问题 被引量:1

Recent advances in X ray lithography and future challenges
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摘要 X射线光刻是一种能满足下世纪初超大规模集成电路(VLSI)生产的深亚微米图形加工技术。论述了这种光刻技术的发展历史及近年来的主要进展。重点讨论了在X射线源、接近式曝光和全反射投影曝光等方面取得的成就与存在的问题。 X ray lithography is a main candidate for printing sub 0 1μm features needed for very large scale integrated circuits(VLSI) at the beginning of the next century. The history and recent advances of this technology are reviewed, especially emphasis on important technical accomplishments and challenges in X ray sources, proximity exposure and all reflective projection lithography. Future directions of the X ray lithography are presented briefly.
作者 宋登元
出处 《光学技术》 CAS CSCD 1999年第3期91-93,96,共4页 Optical Technique
关键词 X射线 集成电路 接近式曝光 投影曝光 光刻 X ray VLSI proximity exposure projection lithography
  • 相关文献

参考文献2

  • 1王煜 李家保(译).X射线光学在固体领域中的应用[M].北京:科学出版社,1985.40.
  • 2李家保(译),X射线光学在固体领域中的应用,1985年,40页

同被引文献1

引证文献1

二级引证文献3

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