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GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
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摘要
用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层,可以有效地改变量子阱的激子能量,从而达到波长调谐的目的.激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度,并和InAs层厚度有关.利用有效质量近似,计算给出了能量调谐曲线,结果与实验符合较好.本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法.
作者
徐仲英
王建农
王玉琪
葛惟琨
李晴
李树深
机构地区
超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所
香港科技大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期488-491,共4页
半导体学报(英文版)
基金
国家自然科学基金
关键词
砷化镓
砷铝镓化合物
量子阱
MBE
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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Journal of Semiconductors
1999年 第6期
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