GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法

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摘要用分子束外延技术（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的．激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和ＩｎＡｓ层厚度有关．利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好．本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法．

作者徐仲英王建农王玉琪葛惟琨李晴李树深

机构地区超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所香港科技大学物理系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期488-491,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金

关键词砷化镓砷铝镓化合物量子阱 MBE

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]

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1Li Shushen，Acta Phys Sin，1997年，6期，848页
2Yuan Z L，Phys Rev B，1996年，54卷，16916页
3Wang P D，Appl Phys Lett，1994年，64卷，1526页

1方高瞻,肖建伟,马骁宇,谭满清,冯小明,潘贵生.准连续5kW叠层激光二极管列阵[J].高技术通讯,2002,12(5):41-44.
2黄鑫,宋爱民,段利华.1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计[J].半导体光电,2010,31(4):535-538.
3YuanXian-Zhang,LuWei,LiNing,ChenXiao-Shuang,ShenXue-Chu,ZiJian.Photocurrent spectra of very long wavelength GaAs／AlGaAs quantum well infrared photodetector[J].Chinese Physics B,2003,12(4):466-466.
4励翠云,彭瑞伍,王洁,徐晨梅.LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究[J].稀有金属,1994,18(2):138-142.
5陈建新,邬祥生.InP系量子阱相位调制器的理论设计[J].Journal of Semiconductors,1994,15(4):243-247.
6吴月芳,郭伟玲,陈艳芳,雷亮.量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究[J].照明工程学报,2017,28(1):5-9.
7李晓莅,陈唏,刘继周,陈辰嘉,王学忠,凌震,王迅,吕少哲.Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应[J].光谱学与光谱分析,1997,17(2):1-7.
8王学忠,王荣明,陈辰嘉,马可军.稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应[J].Journal of Semiconductors,1995,16(11):835-841. 被引量：4
9马楠,邓军,牟明威,史衍丽,沈光地.传输矩阵法在多量子阱红外探测器结构设计中的应用[J].半导体光电,2008,29(6):862-865. 被引量：1
10孙征,徐仲英,阮学忠,姬扬,孙宝权,倪海桥.InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究[J].物理学报,2007,56(5):2958-2961. 被引量：1

Journal of Semiconductors

1999年第6期

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