浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

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摘要利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ。

作者朱洪亮韩德俊胡雄伟汪孝杰王圩

机构地区中国科学院半导体研究所北京师范大学低能核物理所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期501-505,共5页 半导体学报（英文版）

基金 "863"307主题资助

关键词混合蓝移效应 SL-MQW 激光器浅离子注入

分类号 TN243 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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1999年第6期

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