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钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应 被引量:1

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摘要 “晶界掺杂”是一个全新的概念,它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中,晶界掺杂能明显地改变PTCR效应。在晶界上,施主杂质同某些受主杂质一样,也可以明显提高材料的PTCR效应。通过晶界掺杂引入的Pb2+则对PTCR效应有明显的损害。
出处 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期210-213,共4页 Piezoelectrics & Acoustooptics
  • 相关文献

参考文献6

  • 1齐建全,桂治轮,李龙土,陈万平.Bi_2O_3蒸汽掺杂的Ba_(1-x)Si_xTiO_3半导化陶瓷的PTCR效应[J].压电与声光,1998,20(6):408-410. 被引量:3
  • 2Qi J Q,J Am Ceram Soc,1998年,81卷,2期,437页
  • 3齐建全,现代技术陶瓷,1998年,增刊,605页
  • 4Qi J Q,Chemical Sensors,Technical Digest of the Seveth International Metting,1998年,761页
  • 5Qi J Q,J Mater Sci,1997年,32卷,713页
  • 6Qi J Q,Electronic Componests and Materials Sensors and Actuators,ICECM-ICSA 95,1995年,395页

二级参考文献2

  • 1Qi J Q,J Am Ceram Soc,1998年,81卷,2期,437页
  • 2Qi J Q,J Mater Sci,1997年,32卷,713页

共引文献2

同被引文献2

引证文献1

二级引证文献5

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