Ga_xAl_(1-x)As三元化合物共沉积研究

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摘要在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。

作者杨春晖徐吾生韩岩韩爱珍

机构地区哈尔滨工业大学应用化学系

出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期224-226,共3页 Piezoelectrics & Acoustooptics

关键词 GaAlAs化合物电沉积络合剂半导体材料

参考文献6

1王贤仁.光电子材料及应用的某些进展[M].长春:吉林大学出版社,1988.89-108.
2韩爱珍,林逸青,赵永春,高元恺.GaAs薄膜电沉积机理的初探[J].Journal of Semiconductors,1997,18(5):380-384. 被引量：9
3Gao Y K，Thin Solid Films，1993年，232卷，2期，278页
4周永溶，半导体材料，1992年，181页
5王贤仁，光电子材料及应用的某些进展，1988年，89页
6方景礼，多元络合物电镀，1983年，344页

1杨春晖,叶水驰,韩爱珍,高元凯.Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究[J].太阳能学报,2000,21(3):239-242.
2温廷琏,吕之奕,屠恒勇,方家熊,李言谨,赵军.HgCdTe晶体上Cd和Te的阴极共沉积[J].无机材料学报,1996,11(1):131-136. 被引量：1
3王喜莲,李浴春,韩爱珍,高元恺,杨志伟.用电共沉积方法制备InGaAs薄膜[J].材料研究学报,2001,15(4):451-454. 被引量：3
4高元恺,韩爱珍,李小宇.砷化镓薄膜的电共沉积工艺[J].半导体技术,1990,6(2):41-44.
5王喜莲,韩爱珍,高元恺.电共沉积InGaAs薄膜材料[J].太阳能学报,2001,22(2):200-209.
6韩爱珍,林逸青,赵永春,高元恺.GaAs 薄膜电沉积的机理与工艺研究[J].太阳能学报,1997,18(4):376-379. 被引量：3
7化合物半导体[J].电子科技文摘,2002,0(7):9-10.
8韩爱珍,王喜莲,高元凯.电沉积Al_xGa_(1-x)As薄膜及性能研究[J].功能材料与器件学报,2002,8(1):13-17.
9杨春晖,张志梅,杨兆明,韩爱珍.GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究[J].硅酸盐学报,1999,27(6):721-726. 被引量：1
10李浴春,王喜莲,韩竞科,韩爱珍,高元恺,杨志伟.InGaAs薄膜电共沉积研究[J].电化学,2000,6(4):463-468.

压电与声光

1999年第3期

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