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GaAs 1×4光功分器的制作 被引量:1

Fabrication of GaAs 14 Optical Power Splitter
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摘要 本文在GaAs/GaAlAs外延材料上设计和制作了MMI型1×4光功分器。文中首先给出器件的基本工作原理和特点,随后主要讨论器件制作中的GaAs材料的干法刻蚀工艺,最后给出器件测试结果。 In this paper,a 14 MMI optical power splitter is designed and fabricated in GaAs/GaAlAs epitaxial materials.The basic operating mechanism of this device is briefly presented first.Due to the properties of MMI devices,the dry etching technique for GaAs materials is then discussed.The measuring results and related discussion are also presented.
出处 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第3期203-206,共4页 Journal of Optoelectronics·Laser
基金 浙江省自然科学基金 曹光彪高科技发展基金
关键词 集成光学 多模干涉 光功分器 干法刻蚀 integrated optics multimode interference optical power splitter dry etching technique
  • 相关文献

参考文献4

  • 1孙一翎 杨建义 等.GaAS单模1×4光功分器的设计[J].光子学报,1997,26(1):257-261.
  • 2黄德修.高速光纤通信中的关键无源器件.1997年度信息光电子前沿发展与产业开发对策研讨会论文集[M].泉州,1997,11.B2.
  • 3黄德修,1997年度信息光电子前沿发展与产业开发对策研讨会论文集,1997年,11卷,B2期
  • 4孙一翎,光子学报,1997年,26卷,增1期,257页

共引文献1

同被引文献3

  • 1孙一翎 杨建义 等.GaAS单模1×4光功分器的设计[J].光子学报,1997,26(1):257-261.
  • 2孙一翎,光子学报,1997年,26卷,Z1期,257页
  • 3尹锐,杨建义,王明华.梯形截面脊波导的特性分析[J].光学学报,2000,20(11):1494-1498. 被引量:3

引证文献1

二级引证文献1

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