面向通信市场的高功率LDMOS晶体管

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摘要 PTFB系列高功率LDMOS晶体管用于设计宽频无线网络基站，该晶体管的单管输出功率高达300W，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比（peak to average power ratio）以及高数据传输速率规格。PTFB系列产品所提供的高增益及高功率密度，主要应用在1．4～2．6GHz频带中。

出处《今日电子》 2010年第12期66-66,共1页 Electronic Products

关键词 LDMOS晶体管高功率密度通信市场高数据传输速率无线网络基站 4G无线网络 power 输出功率

分类号 TN624 [电子电信—电路与系统]

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